据报道，全球最大的代工芯片制造商台积电（TSMC）在2nm技术的开发上取得了重大突破。

台积电现在将采用一种新的多桥道场效应晶体管（MBCFET）架构，它基于一种高性能的横向晶体管技术（GAA）工艺，这将有助于克服当前FinFET工艺的物理局限性。

去年，该公司首次成立了2nm项目的研发团队。据该公司一位高管称，2nm芯片的量产将于2024年投产。到2023年下半年，试产收率将达到90%。

更重要的是，公司也在探索未来向1nm迈进的可能性。虽然1nm工艺肯定会带来一些巨大的好处，但它还需要很多时间。

与此同时，该公司原计划在今年年底开始3nm的试生产，但由于新冠大流行，不得不推迟到2021年。

在2024年，当2nm芯片正式投产时，该项技术发展的进步可能会给台积电带来极大的优势。台积电声称，每一代新产品的速度和效率将提高近40%，耗电量将降低30%。

根据最近的报道，台积电目前在横向晶体管技术（GAA）的开发上落后三星几个月。然而，台积电仍然是铸造领域的市场领导者，拥有超过50%的市场份额。过去几个季度，三星成功缩小了差距。

原文链接：www.androidheadlines.com/2020/09/tsmc-hits-major-milestone-in-2nm-technology-development.html